Оперативная память Hynix DDR2 PC2-6400 1 Гб (HYMP112U64CP8-S6)
1 ГБ, 1 модуль DDR2 DIMM, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В
Оперативная память Hynix 8GB DDR4 SODIMM PC4-21300 HMA81GS6JJR8N-VK
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
Оценка: 5 / 5
- Отзывы (2)
Технические характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Общий объем: | 8 ГБ |
| Тип: | DDR4 SO-DIMM |
| ECC: | Нет |
| Частота: | 2666 МГц |
| PC-индекс: | PC4-21300 |
| CAS Latency: | 19T |
| Тайминги: | 19-19-19 |
| Напряжение питания: | 1.2 В |
| Набор: | 1 модуль |
| Конструкция | |
| Подсветка элементов платы: | Нет |
| Низкопрофильный модуль: | Нет |
| Охлаждение: | Нет |
| Технические характеристики | |
| Ёмкость микросхем: | 8 Гбит |
| Тип микросхем: | 1Gx8 |
| Профили Intel XMP: | Нет |
| Число микросхем: | 8 |
| Количество ранков: | Да |
| Расположение чипов: | одностороннее |
Похожие товары
Оперативная память Hynix 8GB DDR4 PC4-19200 [HMA81GU6AFR8N-UH]
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
Оперативная память Hynix DDR2 PC2-6400 2 Гб (HYMP125U64CP8-S6)
2 ГБ, 1 модуль DDR2 DIMM, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В
Оперативная память Hynix 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 HMT451S6BFR8A-PB
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
Оперативная память Hynix 4GB DDR4 PC4-17000 [HMA451U6MFR8N-TFN0]
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В