Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3BB0-CWM
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOL
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
Оценка: 5 / 5
- Отзывы (1)
Технические характеристики
Похожие товары
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R4GA3BB0-CQK
32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-21300 M471A1K43CB1-CTD
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A2K43DB1-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В