Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3BB0-CWM
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43DB1-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Оценка: 5 / 5
- Отзывы (6)
Технические характеристики
| Конструкция | |
|---|---|
| Цвет: | зеленый |
| Подсветка элементов платы: | Нет |
| Низкопрофильный модуль: | Нет |
| Охлаждение: | Нет |
| Основные | |
| Общий объем: | 8 ГБ |
| Напряжение питания: | 1.2 В |
| Тайминги: | 22-22-22 |
| CAS Latency: | 22T |
| PC-индекс: | PC4-25600 |
| Частота: | 3200 МГц |
| ECC: | Нет |
| Тип: | DDR4 SO-DIMM |
| Набор: | 1 модуль |
| Технические характеристики | |
| Расположение чипов: | двустороннее |
| Количество ранков: | Да |
| Число микросхем: | 8 |
| Ёмкость микросхем: | 8 Гбит |
| Тип микросхем: | 1Gx8 |
| Профили Intel XMP: | Нет |
Похожие товары
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R4GA3BB0-CQK
32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-21300 M471A1K43CB1-CTD
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A2K43DB1-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В