SSD Samsung PM981 256GB MZVLB256HAHQ

SSD Samsung PM981 256GB MZVLB256HAHQ

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.2), контроллер Samsung Polaris V2, микросхемы 3D TLC NAND

Оценка: 5 / 5

Технические характеристики

Общая информация
Дата выхода на рынок: 2017 г.
Основные
Объём: 256 ГБ
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI Express 3.0 x4
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Контроллер: Samsung Polaris V2
Размеры устройств M.2: 2280
Технические характеристики
Аппаратное шифрование: Да AES 256bit
Время наработки на отказ (МТBF): 1 500 000 ч
Охлаждение: Нет
Подсветка: Нет

Похожие товары

SSD Samsung 990 Pro 1TB MZ-V9P1T0BW
SSD Samsung 990 Pro 1TB MZ-V9P1T0BW 1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1550000 IOps, совместимость с PS5
SSD Samsung 990 Pro 2TB MZ-V9P2T0BW
SSD Samsung 990 Pro 2TB MZ-V9P2T0BW 2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1400000/1550000 IOps, совместимость с PS5
SSD Samsung 870 Evo 500GB MZ-77E500BW
SSD Samsung 870 Evo 500GB MZ-77E500BW 500 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps
SSD Samsung 980 1TB MZ-V8V1T0BW
SSD Samsung 980 1TB MZ-V8V1T0BW 1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 500000/480000 IOps
SSD Samsung 990 Evo Plus 1TB MZ-V9S1T0BW
SSD Samsung 990 Evo Plus 1TB MZ-V9S1T0BW 1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7150/6300 МБайт/с, случайный доступ: 850000/1350000 IOps, совместимость с PS5