Оперативная память Silicon-Power 32ГБ DDR4 3200 МГц SP032GBLFU320F02
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Оперативная память Silicon-Power 4GB DDR4 PC4-21300 SP004GBLFU266X02
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
Оценка: 5 / 5
- Отзывы (6)
Технические характеристики
| Конструкция | |
|---|---|
| Цвет: | черный |
| Подсветка элементов платы: | Нет |
| Низкопрофильный модуль: | Нет |
| Охлаждение: | Нет |
| Основные | |
| Общий объем: | 4 ГБ |
| Напряжение питания: | 1.2 В |
| Тайминги: | 19-19-19 |
| CAS Latency: | 19T |
| PC-индекс: | PC4-21300 |
| Частота: | 2666 МГц |
| ECC: | Нет |
| Тип: | DDR4 DIMM |
| Набор: | 1 модуль |
| Технические характеристики | |
| Расположение чипов: | одностороннее |
| Количество ранков: | Да |
| Число микросхем: | 4 |
| Ёмкость микросхем: | 8 Гбит |
| Тип микросхем: | 512Mx8 |
| Профили Intel XMP: | Нет |
Похожие товары
Оперативная память Silicon-Power 16ГБ DDR4 SODIMM 2666 МГц SP016GBSFU266X02
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
Оперативная память Silicon-Power 16GB DDR4 2666 МГц SP016GBLFU266X02
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
Оперативная память Silicon-Power 8ГБ DDR4 3200МГц SP008GBLFU320B02
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Оперативная память Silicon-Power 8GB DDR4 PC4-21300 SP008GBLFU266B02
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В