Оперативная память Silicon-Power 8GB DDR4 PC4-19200 SP008GBLFU240X02
Отзывы (6)
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
Оперативная память
Оперативная память Silicon-Power 4GB DDR4 PC4-21300 SP004GBLFU266N02
Отзывы (6)
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
Оперативная память Silicon-Power 16GB DDR4 PC4-19200 SP016GBLFU240B02
Отзывы (6)
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
Оперативная память Samsung 4GB DDR4 SODIMM PC4-21300 M471A5244CB0-CTD
Отзывы (6)
4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
Оперативная память Silicon-Power 4GB DDR4 PC4-19200 [SP004GBLFU240N02]
Отзывы (6)
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
Оперативная память Patriot Signature Line 16ГБ DDR5 5200 МГц PSD516G520081
Отзывы (6)
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 42T, тайминги 42-42-42-84, напряжение 1.1 В
Оперативная память Silicon-Power 8GB DDR4 PC4-21300 SP008GBLFU266X02
Отзывы (6)
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
Оперативная память Kingston 16GB DDR4 SODIMM PC4-25600 KVR32S22S8/16
Отзывы (6)
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43DB1-CWE
Отзывы (6)
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Оперативная память G.Skill Ripjaws M5 Neo RGB 2x16ГБ DDR5 6000 МГц F5-6000J3038F16GX2-RM5NRK
Отзывы (6)
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-38-38-96, напряжение 1.35 В
Оперативная память Silicon-Power 2x16ГБ DDR4 3200 МГц SP032GBLFU320X22
Отзывы (6)
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Оперативная память Silicon-Power 16ГБ DDR4 3200 МГц SP016GBLFU320BS2B6
Отзывы (6)
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Оперативная память Silicon-Power 16ГБ DDR4 3200МГц SP016GBLFU320B02
Отзывы (6)
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Оперативная память Patriot Signature Line 2x16ГБ DDR5 5600 МГц PSD532G5600K
Отзывы (6)
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-46-46-90, напряжение 1.1 В
Оперативная память Patriot Signature Line 16ГБ DDR5 5600 МГц PSD516G560081
Отзывы (6)
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-46-46-90, напряжение 1.1 В
Оперативная память Kingston 8GB DDR4 PC4-19200 [KVR24N17S8/8]
Отзывы (6)
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
Оперативная память Patriot Signature Line 2x16ГБ DDR5 4800 МГц PSD532G4800K
Отзывы (6)
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.2 В
Оперативная память Patriot Signature Line 8ГБ DDR5 4800 МГц PSD58G480041
Отзывы (6)
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В
Оперативная память Patriot Signature Line 32ГБ DDR5 4800 МГц PSD532G48002
Отзывы (6)
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В
Оперативная память G.Skill Ripjaws M5 Neo RGB 2x16ГБ DDR5 6000 МГц F5-6000J3636F16GX2-RM5NRK
Отзывы (6)
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-96, напряжение 1.35 В
Оперативная память Patriot Signature Line 8ГБ DDR5 5600 МГц PSD58G560041
Отзывы (6)
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-46-46-90, напряжение 1.1 В
Оперативная память G.Skill Ripjaws M5 Neo RGB 2x48ГБ DDR5 6000 МГц F5-6000J3036F48GX2-RM5NRK
Отзывы (6)
96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36-96, напряжение 1.35 В
Оперативная память Patriot Signature Line 32ГБ DDR5 5600 МГц PSD532G56002
Отзывы (6)
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-46-46-90, напряжение 1.1 В
Оперативная память Silicon-Power 16GB DDR4 PC4-21300 SP016GBLFU266B02
Отзывы (6)
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
Оперативная память Silicon-Power 8GB DDR4 PC4-19200 [SP008GBLFU240B02]
Отзывы (6)
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
Оперативная память G.Skill Ripjaws M5 Neo RGB 2x32ГБ DDR5 6000 МГц F5-6000J3238G32GX2-RM5NRK
Отзывы (6)
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38-96, напряжение 1.4 В
Оперативная память G.Skill Ripjaws M5 Neo RGB 2x32ГБ DDR5 6000 МГц F5-6000J3040G32GX2-RM5NRW
Отзывы (6)
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40-96, напряжение 1.4 В
Оперативная память G.Skill Ripjaws M5 Neo RGB 2x16ГБ DDR5 6400 МГц F5-6400J3240G16GX2-RM5NRK
Отзывы (6)
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-40-40-102, напряжение 1.4 В
Оперативная память G.Skill Ripjaws M5 Neo RGB 2x16ГБ DDR5 6400 МГц F5-6400J3240G16GX2-RM5NRW
Отзывы (6)
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-40-40-102, напряжение 1.4 В
Оперативная память Patriot Signature Line 8ГБ DDR5 5600 МГц PSD58G560081
Отзывы (6)
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-46-46-90, напряжение 1.1 В