Оперативная память Hynix DDR2 PC2-6400 1 Гб (HYMP112U64CP8-S6)
1 ГБ, 1 модуль DDR2 DIMM, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В
Оперативная память Hynix DDR3 SO-DIMM PC3-10600 4GB (HMT351S6CFR8C-H9)
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-18, напряжение 1.5 В
Оценка: 5 / 5
- Отзывы (1)
Технические характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Набор: | 1 модуль |
| Общий объем: | 4 ГБ |
| Тип: | DDR3 SO-DIMM |
| ECC: | Нет |
| Частота: | 1333 МГц |
| PC-индекс: | PC3-10600 |
| CAS Latency: | 9T |
| Тайминги: | 9-9-9-18 |
| Напряжение питания: | 1.5 В |
| Конструкция | |
| Охлаждение: | Нет |
| Низкопрофильный модуль: | Нет |
| Технические характеристики | |
| Расположение чипов: | двустороннее |
| Число микросхем: | 16 |
| Ёмкость микросхем: | 2 Гбит |
| Тип микросхем: | 256Mx8 |
| Профили Intel XMP: | Нет |
Похожие товары
Оперативная память Hynix 8GB DDR4 PC4-19200 [HMA81GU6AFR8N-UH]
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
Оперативная память Hynix DDR2 PC2-6400 2 Гб (HYMP125U64CP8-S6)
2 ГБ, 1 модуль DDR2 DIMM, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В
Оперативная память Hynix 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 HMT451S6BFR8A-PB
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
Оперативная память Hynix 8GB DDR4 SODIMM PC4-21300 HMA81GS6JJR8N-VK
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В